基本信息
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产品展示
| 产品名称: | IC693CHS397H |
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| 价格: | 66 |
| 供货总量: | 32 |
| 规格: | IC693CHS397H |
| 更新日期: | 2018年12月24日,有效期:360天 |
| 关键字: | IC693CHS397H IC693CHS397H IC693CHS397H |
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详情信息
因为S-8251芯片输入电压范围是2.5~16V,总线输入电压范围24V,必须先经过降压环节,这将使变换效率大打折扣。降压电路静态功耗要小于几十μA量级,否则总线电流很难做到小于3.5mA。我采用MOSFET串联降压方式,基准源没有采用稳压二极管,而是使用LM385,做到静态电流36μA。图3为24V降压到16V电路。
在设计电路时,器件选择和S-8251基本一样,在PCB版图设计时要注意电容C2和芯片LT1934距离不能太远,尽量使用粗线,使用地平面,否则会引起自激振荡。电感L1对DC/DC的转换效率起决定作用。如果L1偏小,电路的转换效率将降低,启动电流增大,甚至无法启动。如果L1偏大,则会造成输出能力下降,同时DC/DC电路将可能产生振荡。
隔离电源绕组
射频导纳物位变送器还需要一组隔离电源给传感器电路使用。保证变送器的安全工作和高的抗共模干扰能力。我设计的电源电路在降压变换器的电感上提供了一个隔离的次级绕组,它采用了在DC/DC输出储能电感L1A上“窃”电的方法。图5为带隔离电源的电路设计。


