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Power FET※2和IGBT※3等半导体绝缘膜的生产，常压CVD生产设备不可或缺。但该生产设备使用SiH4※5、PH3※6、B2H6※7等对人体有害的气体，所以必须进行排气处理。OEG的排气处理设备“KGT-3MM-AP”采用的是湿式处理方式，可以高效处理CVD制膜过程中使用的特殊气体和粉末。设备内部采用特种不锈钢过滤器，不但提高了有害气体处理能力，而且结构上不容易发生堵塞，因此不维修也可以长时间运营。另外，内部过滤器采用特殊构造，易于清洁，降低设备维修管理负担而得到好评。并且，压力控制微压计也是为CVD制膜所使用气体而开发的，排气扇变频控制实现了常压CVD制膜过程中不可或缺的排气压力控制，保证长时间稳定运行。

三年前，作为天谷制作所（社长：吉冈献太郎，总公司：日本埼玉县越谷市）生产的连续常压 CVD生产设备所配备的排气处理设备，OEG向安森美半导体提供了“KGT-3MM-AP”。该设备连续作业无故障保证了CVD膜的稳定生产，其压力控制方式和排放有害气体的处理性能等得到安森美半导体的好评，再次被该公司欧洲工厂采用。采用该设备不仅可以确保其欧洲工厂NSG※8、PSG※9、BPSG ※10等CVD膜的膜层厚度的稳定，还促进工厂提高产量，削减排气处理费用。

OEG排气处理设备的生产制造已有近30年的历史，有为日本和台湾的半导体和太阳能电池生产厂家提供设备的丰富业绩。此次是为欧洲客户提供设备，还计划将来开拓东南亚市场。

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※1. CVD：（Chemical Vapor DeposiTIon，化学气相沉积），是沉积方法的一种，在加热主板上生成各种材质的薄膜。

※2. Power FET：（Power Field-Effect Transistor）是为处理大电力MOSFET※4而设计的，和其他电源设备比较，其开关速度快，在低压区的转换功效高，因此多用于200V以下的开关电源、DC-DC转换器等。

※3. IGBT：（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，用于电流控制。

※4. MOSFET：（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体三极管）是场效应晶体管（FET）的一种，多采用二氧化硅材料，多用于集成电路。

※5. 硅烷（SiH4）：（silane，SiH4）分子量为32.12，是无色有臭气体，是用于半导体生产的特殊气体的代表。

※6. 磷化氢（PH3）：（phosphine ，PH3）是一种无色、剧毒、易燃的气体，无机化合物。是半导体生产原料混合气体的原料，有时也用于n形硅的InGaP（铟镓磷）半导体生产。

※7. 乙硼烷（B2H6）：（diborane，B2H6）是硼氢化合物，无色有臭味气体，是重要的半导体材料。主要用于聚合催化剂和还原剂及火箭推进剂等。易燃、易爆、剧毒。

※8. NSG（None-doped Silicate Glass）膜：不含磷和硼等不纯物质的二氧化硅（SiO2）膜。

※9. PSG（Phospho silicate glass）膜：含磷的硅氧化膜。

※10. BPSG（Boro-phospho silicate glass）膜：含硼和磷的硅氧化膜。