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感应电阻Rs（图3中R7）选型

Rs=0.05/（1.2×IMAX），取值33 mΩ，IMAX≈1.5 A。

2）外接MOSFET选型

外接N沟道MOSFET VDS耐压要大于输入电压和瞬态过冲，并要有一定的余量，并且RDSON（MAX）要满足，

其中TJ（MAX）一般取125℃，热阻RθJA取决于管子的封装及散热的方式。

按照上述条件，设计中选取了N沟道MOSFET AOLL1242作为24V热插拔电路外接MOSFET，其VDS=40V，ID=69A（VGS=10 V），满足设计要求的 大输入电压24 V和 大输出电流1.5 A，并留有足够的余量，防止瞬态过冲。

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定时电容CT（图3中C2）选型

选择合适的电容，完成设定故障重启间隔定时外，还必须满足过载持续定时时间内外接MOSFET的功率耗散，不造成管子损坏，设计中选择CT=0.1μF。

5）使能启动电压设定

控制器使能启动电压为1.35 V，关闭电压为1.25 V。通过设定EN引脚输入电压，可以实现电源输入欠压保护。设计中选择R1=200 kΩ，R2=13 kΩ，由公式

VIN（ON）=1.35/［R2/（R1+R2）］=22 V

可知，电源输入电压达到22 V时控制器使能启动;由公式

VIN（OFF）=1.25/［R2/（R1+R2）］=20.5 V

可知，电源输入电压下降到20.5 V时控制器进入欠压保护。

6）其他选型

为了抑制高频振荡，GATE驱动电阻R5取值10 Ω;为保证PG引脚吸收电流小于2 mA，上拉电阻R6取值100 kΩ;C1取值0.1μF，D1选择齐纳TVS管SA24AG;24 V电源输入端串接IN5822肖特基二极管D2防止电源反接。

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